EMC測(cè)試入門——研發(fā)工程師必備

大家知道，大多數(shù)電子產(chǎn)品基本都強(qiáng)制或建議進(jìn)行EMC測(cè)試（山寨電子產(chǎn)品除外，所以山寨電子產(chǎn)品的EMC性能也是不敢茍同的哦！），目的就是保證產(chǎn)品不能對(duì)所處的電磁環(huán)境造成不可接受的影響，同時(shí)也希望產(chǎn)品能在某些電磁環(huán)境中能正常可靠工作。

EMC測(cè)試項(xiàng)目包括EMI(電磁干擾)測(cè)試和EMS(電磁抗干擾)測(cè)試。

1 EMI測(cè)試項(xiàng)目包括：

1、Radiated Emission －輻射騷擾測(cè)試

測(cè)試通過(guò)空間傳播的電磁能量。

2、Conducted Emission－傳導(dǎo)騷擾測(cè)試

測(cè)試沿電源線、控制線或信號(hào)線的電磁能量。

3、Harmonic－諧波電流騷擾測(cè)試

主要測(cè)量EUT工作時(shí)注入到電網(wǎng)中的諧波。

4、Flicker－電壓變化和閃爍測(cè)試

2 EMS測(cè)試項(xiàng)目包括：

1、ESD－靜電抗擾度測(cè)試

模擬操作人員或物體在接觸設(shè)備時(shí)的放電以及人或物體對(duì)鄰近物體的放電。

2、RS－射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試

測(cè)試被試設(shè)備對(duì)空間電磁騷擾的抗擾性。

3、CS－射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試

測(cè)試被試設(shè)備對(duì)沿電源線、控制線或信號(hào)線傳輸?shù)碾姶拍芰康拿舾卸取?/p>

4、DIP－電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度測(cè)試

模擬由低壓、中壓或高壓網(wǎng)絡(luò)中的故障所造成（短路或接地故障）的電壓瞬時(shí)跌落和中斷；以及有連接到電網(wǎng)的負(fù)荷連續(xù)變化引起的電壓變化。

5、SURGE－浪涌（沖擊）抗擾度測(cè)試

模擬電網(wǎng)中的故障：雷擊（直接或間接）對(duì)設(shè)備的干擾，電網(wǎng)中的開(kāi)關(guān)操作。放電波形為開(kāi)路電壓1.2us/50us、短路電流8us/20us的脈沖。特點(diǎn)是上升時(shí)間慢（相對(duì)EFT/B）、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)、能量大。

6、EFT－電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試

模擬對(duì)電感性負(fù)載的切換（如繼電器、接觸器）；對(duì)高壓開(kāi)關(guān)的切換（如真空開(kāi)關(guān)）設(shè)備的干擾。放電波形為5ns/50ns（上升沿5ns，半波時(shí)間50ns）的脈沖串，脈沖串持續(xù)時(shí)間15ms，脈沖周期為300ms。特點(diǎn)是上升時(shí)間快、持續(xù)時(shí)間短、能量低，但有較高的重復(fù)頻率。

7、PMS-工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試

3 EMC暗室和實(shí)驗(yàn)使用的部分儀器

圖1 電波暗室/EMC測(cè)試